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北京華測高溫四探針測試儀

公稱型號

HEST-600高溫四探針測試系統

 

HEST-600高溫四探針測試系統產品簡介

●HEST-600高溫四探針測量系統,該系統可以測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻 以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻,該設備按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M 標準而設計的。
●采用由四端測量方法測試電阻率系統與高溫試驗箱為一體的專用的高溫測試系統,滿足半導體及導體材料因溫度變化對電阻值變化的 測量要求,通以在高溫 、真空、氣氛的條件下測量導電材料電阻和電阻率,可以分析被測樣的電阻和電阻率隨溫度、 時間變化的曲 線. 目前主要針對圓片、方塊、長條等樣品進行測試,可以廣泛用于碳系導電材料、 金屬系導電材料、 金屬氧化物系導電材料、結 構型高分子導電材料、復合導電材料等材料的電阻率測量。 過先進的測控軟件可以顯示出溫度與電阻,電阻率,電導率數據的變化曲線。




HEST-600高溫四探針測試系統

可以測量高溫、真空、氣氛下薄膜方塊電阻和薄層電阻率;
軟件、觸摸屏、高溫爐等集成于一體,可以進行可視化操作;
可實現純凈氣氛條件下的測量;同時保證探針在高溫下不氧化;
采用labview軟件開發,操控性、兼容性好、方便升級;
可自動調節樣品測試電壓,探針和薄膜接觸閃絡現象;
控溫和測溫采用同一個傳感器,保證樣品每次采集的溫度都是樣品實際溫度;
可配套使用Keithley2400或2600數字多用表;

儀器特點



HEST-600高溫四探針測試系統參數規格

●測量溫度:室溫---600°C ;
●控溫精度:±1℃
●顯示精度:±0.1℃
●升溫斜率:1-5°C/min
●測量精度:0.05%
●電阻率:10-5 ~105 Ω.cm
●電導率:10-5 ~105 s/cm
●方塊電阻:10-4 ~106 Ω/□
●電阻:10-5 ~105 Ω
●探針間距:2±0.01mm
●探針壓力:0~2kg可調
●針間絕緣電阻:≥1000MΩ
●真空腔體漏率標準要小于10-9 Pa?m3/s
●樣品:直徑15~30mm,厚度小于4mm
●設備尺寸:680mmX450mmX400mm

公稱型號
 
HEST-600高溫四探針測試系統



HEST-600高溫四探針測試系統產品功能

 TVS瞬間抑制防護技術: 光耦與隔離無非是提高的采集的抗干擾處理,對于閃絡放電過程中的浪涌對控制系統的防護起不到任何作用。華測獨立開 發的TVS瞬間抑制防護技術,將起到對控制系統的有效防護。
多級循環溫度采集技術: 設備采用PID算法,以及多級循環溫度采集以保證溫度的有效值??販睾蜏y溫采用同一個傳感器,保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實際溫度.
● 雙系統互鎖技術及隔離屏蔽技術: 本設備不僅具備過壓、過流保護系統,它獨有的雙系統互鎖機制,當任何元器件出現問題或單系統出現故障時,將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測技術以保證采集電流的有效值 ,以及電流抗干擾的屏蔽。
SPWM電子升壓技術 目前進口設備大都采用SPWM電子升壓技術,這一技術具有升壓速度平穩,精度高便于維護等優點。
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